英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，此封裝為碳化矽打開了250kW以上，矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限，中等功率應用的大門。相較於一般的62mm IGBT模組，碳化矽的應用範圍更擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。
該62mm模組配備英飛凌CoolSiC MOSFET，可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和導通損耗可減小散熱元件尺寸。在高開關頻率下運作時，可使用更小的磁性元件。透過英飛凌CoolSiC晶片技術，客戶可以設計出尺寸更小的變頻器，進而降低整體系統成本。
新產品採用62 mm標準基板和螺絲固定方式，具有高強固性的外殼結構設計，且設計經過最佳化，可達到最高的系統可用性，同時降低維修成本以及停機損失。良好的溫度循環能力和150°C的連續工作溫度(Tvjop)，帶來系統可靠性。其對稱性的內部設計，能讓上下開關達到相同的切換條件。亦可選配熱介面材料(TIM)，以進一步提高模組的熱效能。
採用62 mm封裝的CoolSiC MOSFET 1200V分別提供6mΩ/250 A，3mΩ/357 A和2mΩ/500A型號選擇。另外還推出有助快速特性化(雙脈衝/連續作業)的評估板，為便於使用，還提供了可彈性調整的閘極電壓和閘極電阻。此外，還可作為批量生產驅動器板的參考設計。
